IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

作者:标准资料网时间:2024-05-21 12:58:46 浏览:8887 来源:标准资料网

【英文标准名称】:Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)
【原文标准名称】:金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:IEC62373-2006
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2006-07
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IX-IEC)
【起草单位】:IEC/TC47
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:组件;定义;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;金属氧化物半导体场效应管;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;试验;试验装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definitions;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Limits(mathematics);Measuringequipment;MOSFET;Ratings;Semiconductordevices;Stability;Temperaturestress;Testing;Testingdevices;Thermalstress;Transistors
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestprocedureforabias-temperature(BT)stabilitytestofmetal-oxidesemiconductor,field-effecttransistors(MOSFET).
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:27P.;A4
【正文语种】:英语

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